首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   956篇
  免费   128篇
  国内免费   87篇
电工技术   20篇
综合类   69篇
化学工业   59篇
金属工艺   25篇
机械仪表   58篇
建筑科学   9篇
矿业工程   5篇
能源动力   2篇
轻工业   37篇
石油天然气   4篇
武器工业   3篇
无线电   414篇
一般工业技术   160篇
冶金工业   11篇
原子能技术   5篇
自动化技术   290篇
  2024年   5篇
  2023年   25篇
  2022年   45篇
  2021年   43篇
  2020年   55篇
  2019年   36篇
  2018年   22篇
  2017年   33篇
  2016年   24篇
  2015年   31篇
  2014年   41篇
  2013年   46篇
  2012年   68篇
  2011年   63篇
  2010年   50篇
  2009年   49篇
  2008年   63篇
  2007年   82篇
  2006年   56篇
  2005年   49篇
  2004年   48篇
  2003年   48篇
  2002年   37篇
  2001年   32篇
  2000年   21篇
  1999年   19篇
  1998年   17篇
  1997年   25篇
  1996年   9篇
  1995年   8篇
  1994年   3篇
  1993年   6篇
  1992年   2篇
  1991年   5篇
  1989年   1篇
  1985年   1篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有1171条查询结果,搜索用时 62 毫秒
81.
Dry 40× and 60× microscope objectives were fitted with opaque black masks in order to eliminate reflection and scattering of light off the objective front lens assembly during oblique incidence reflection (OIR) microscopy. The reflection and scattering are shown to induce background glare that leads to degradation in the quality of the OIR images. Mask prototypes were designed and machined to snap onto the spring-loaded retractable front lens assembly of each objective. OIR images of live cells and normalized intensity line profiles are used to demonstrate that, if these alterations to the housing of the objective are implemented, background glare is significantly reduced with the 60× objective, and virtually eliminated with the 40× objective.  相似文献   
82.
陈刚  吴建宏  刘全 《光学仪器》2007,29(6):81-84
为了研究镀铬对光刻胶光栅掩模槽形的影响,分析了铬膜反射引起的沿垂直光刻胶表面的驻波效应。分析表明驻波效应的对比度为0.28,不能忽略。将镀铬基底与普通的玻璃基底的掩模槽形对比,发现明显的不同。槽形模拟表明这种不同是由于驻波效应引起的。驻波效应会使掩模形成阶梯结构,且阶梯高度差正好为驻波波节间距离。  相似文献   
83.
A yield criterion of sheets with a uniform triangular pattern of round holes under biaxial loading has been proposed in terms of apparent stresses. The yield criterion was confirmed by finite element analysis results in the whole range of ligament efficiency of the perforated sheet. In order to analyse stretching of a perforated sheet for dot-type shadow mask by the finite element method, a yield function which can incorporate the apparent yield stress and the apparent plastic contraction ratio has been obtained. The agreement between the measured and calculated results of stretch forming of the perforated sheet was satisfactory.  相似文献   
84.
针对光盘Mask上铝黏附层的清洗问题,以PLC为控制核心设计了一套自动清洗设备,以取代当前的手工操作,本文对光盘制作工作,超声波原理以及该清洗设备的系统组成,工作流程等作了详细介绍,试验结果表明,该设备能获得较好的清洗效果。  相似文献   
85.
刘佳  张晓萍 《光电工程》2008,35(1):40-44
针对现代光刻中,超大教值孔径的情况下,通过简单的傅里叶衍射理论模拟掩模的传递函数的方法不够精确,必须得考虑倾斜照明带来的阴影效应.因此本文针对交替式相移掩模,提出了一种考虑阴影效应的近似模型.重新定义了阴影比率的公式.该方法是傅里叶衍射理论的扩展,是一种依赖于入射角的函数.分别给出了交替式相移掩模空间域和空间频率域的传递函数的表达式.并对提出的近似模型的衍射效率以及干涉场光强分布进行了仿真.结果表明,衍射效率和干涉场的强度分布是随着入射角的改变而改变的,不同线宽的衍射效率也不同.并且衍射效率是关于零度入射角对称分布.  相似文献   
86.
两种封装的光纤光栅温度传感器的低温特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了光纤光栅(FBG,Fiber Bragg Gratings)温度传感器的两种封装形式。推导了两种FBG温度传感器的温度敏感因素并进行了实验验证。实验研究了两种FBG温度传感器在-70~0 ℃的中心波长低温变化特性,比较了相同条件下两种FBG温度传感器的实验结果。结果表明:细不锈钢管封装的FBG温度传感器的中心波长在-60 ℃时发生了突变,急剧下降;而镀金FBG温度传感器的中心波长在-70~0 ℃随温度线性变化,重复性较好并且几乎没有迟滞现象。两种传感器在线性变化区间的温度灵敏系数KT 分别为28.2 pm/ ℃和21.3 pm/ ℃,分别是裸光纤布拉格光栅的3倍和2.3倍,它们的线性拟合度都超过0.999。  相似文献   
87.
在硅的各向同性湿法刻蚀过程中,一般选用HNA溶液(即氢氟酸、硝酸和乙酸的混合溶液)作为刻蚀液,而氮化硅以其很好的耐刻蚀性而优先被选为顶层掩膜材料.在硅片上刻蚀不同的结构,通常需要选择不同的刻蚀液配比.而不同配比对于氮化硅掩膜的刻蚀速率也不一样.分别用PECVD和LPCVD两种方法在<111>型硅片上沉积了厚度为560和210 nm的氮化硅薄膜,研究和对比了它们在8种典型配比刻蚀液下的刻蚀速率,为合理制作所需要厚度的氮化硅掩膜提供有益参考.  相似文献   
88.
研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。  相似文献   
89.
聚合物9×9阵列波导光栅复用器的工艺研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
首次采用铝掩模工艺制备出9×9硅基聚合物阵列波导光栅(AWG)复用器.结果表明,在AWG器件制作工艺上,铝掩模技术明显优于厚胶掩模技术.用这种技术制备的器件,其结构指标与理论设计相符合.  相似文献   
90.
X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真   总被引:1,自引:0,他引:1  
开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性。利用相同的有限元技术,对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真。结果表明,图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处,最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处。此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较,结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号